型号: NAND04GW3B2DN6E
功能描述:
制造商: Micron Technology
存储器类型： 非易失
存储器格式： 闪存
技术： FLASH - NAND
存储容量： 4Gb （512M x 8）
写周期时间 - 字，页： 25ns
访问时间： 25ns
存储器接口： 并联
电压 - 电源： 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装： 48-TSOP
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：张S
电话：13430881515
Q Q:
联系人：梁
电话：13913757657
Q Q:
联系人：沈容容
电话：18003262360
Q Q:
