型号: NCE55P30K
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：-30A 漏源电压（Vdss）：-55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：65W 类型：P沟道
制造商: 无锡新洁能
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -55V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: -30A
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 40mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 65W
类型: P沟道
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