型号: NCP5106ADR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.8V，2.3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 250mA，500mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 85ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC
RoHS： 符合 RoHS
上升时间： 160 ns
最高工作温度： + 150 C
标准包装数量： 2500
电源电压 - 最小值： - 0.3 V
电源电流： 5 mA
类型： High Side/Low Side
系列： NCP5106
输出数： 2
配置： Non-Inverting
下降时间： 75 ns
品牌： ON Semiconductor
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： Reel
最低工作温度： - 55 C
最大功率消耗： 178 W
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：张小姐
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：朱丽娜
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电话：15914757150
Q Q:
