型号: NCP5111DR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
驱动配置: 半桥
通道类型: 同步
驱动器数: 2
栅极类型: IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源: 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL,VIH: 0.8V,2.3V
电流-峰值输出(灌入,拉出): 250mA,500mA
输入类型: 非反相
高压侧电压-最大值(自举): 600V
上升/下降时间(典型值): 85ns,35ns
工作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC
配置: Inverting, Non-Inverting
激励器数量: 2
类型: High Side/Low Side
上升时间: 160 ns
下降时间: 75 ns
电源电压-最小: 10 V
电源电流: 5 mA
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装/外壳: Reel
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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