型号: NCP5111DR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
驱动配置： 半桥
通道类型： 同步
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.8V，2.3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 250mA，500mA
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 85ns，35ns
工作温度： -40°C ~ 125°C （TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC
配置： Inverting, Non-Inverting
激励器数量： 2
类型： High Side/Low Side
上升时间： 160 ns
下降时间： 75 ns
电源电压-最小： 10 V
电源电流： 5 mA
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： Reel
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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Q Q:
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Q Q:
