型号:  NCV5701CDR2G

功能描述:  门驱动器 HIGH CURRENT IGBT GATE DR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  门驱动器

RoHS:  是

产品:  IGBT, MOSFET Gate Drivers

类型:  Half Bridge

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOIC-8

激励器数量:  1 Driver

输出电流:  5 A

上升时间:  9.2 ns

下降时间:  7.9 ns

电源电压-最小:  5.5 V

电源电压-最大:  35 V

传播延迟—最大值:  70 ns

工作电源电流:  900 uA

Pd-功率耗散:  700 mW

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 125 C

资格:  AEC-Q100

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

特点:  DESAT Protection with Programmable Delay, Separate Outputs for VOL and VOH

输出电压:  5 V

技术:  Si

商标:  ON Semiconductor

关闭:  Shutdown

最大关闭延迟时间:  75 ns

最大开启延迟时间:  75 ns

产品类型:  Gate Drivers

工厂包装数量:  2500

子类别:  PMIC - Power Management ICs