型号:  NCV8402AMNWT1G

功能描述:  MOSFET 165MOHM 2A LOW-SIDE SMAR

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-6

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  42 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  165 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  14 V

Qg-栅极电荷:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  8.9 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  NCV8402A

晶体管类型:  1 N-Channel

商标:  ON Semiconductor

下降时间:  50 us

产品类型:  MOSFET

上升时间:  120 us

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 us

典型接通延迟时间:  25 us