型号: NDB5060
功能描述: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 60 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 26 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.05 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263AB
封装: Rail
下降时间: 48 ns
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 68 W
上升时间: 95 ns
典型关闭延迟时间: 19 ns
联系人:钟小姐,王先生
电话:13418830030
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:胡小姐
电话:13724343501
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:木易
电话:13352985419
联系人:胡冬
电话:15068777457
联系人:林生
电话:13723768232
联系人:王先生
电话:15914106549