型号: NDC651N_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: 20 V
漏极连续电流: 3.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.09 Ohms
配置: Single Triple Drain Dual Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
封装: Reel
下降时间: 19 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.6 W
上升时间: 19 ns
典型关闭延迟时间: 15 ns
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵
电话：13823158773
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：杨R
电话：18923785673
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13728637194
Q Q:
联系人：孙
Q Q:
