型号: NDD05N50Z-1G
功能描述: N-Channel 500 V 1.5 Ohm 83 W Through Hole Power MOSFET - IPAK-3
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.7A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 530pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 83W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装形式Package： IPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 4.7A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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