型号: NDH8502P
功能描述: MOSFET DISC BY MFG 2/02
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 2.2 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 110 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-8
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 18 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 18 ns
系列: NDH8502
工厂包装数量: 750
典型关闭延迟时间: 28 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
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