型号: NDS356AP_L99Z
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 1.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.3 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
下降时间: 17 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 53 ns
联系人：张小姐
电话：18688969163
Q Q:
联系人：王
电话：13631598171
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：祝小姐
电话：13612861520
Q Q:
联系人：陈斌
电话：13358237547
Q Q:
联系人：刘勇
电话：33253606
Q Q:
联系人：杨先生
Q Q:
