型号: NDS356AP_L99Z
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 1.1 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.3 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
下降时间: 17 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.5 W
上升时间: 17 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 53 ns
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13066809747
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：石满满
电话：13051098960
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：李太
电话：13537589664
Q Q:
联系人：蔡先生
电话：15019436544
Q Q:
联系人：杨柳
Q Q:
