型号: NDS9952A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N and P-Channel
汲极/源极击穿电压: +/- 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 3.7 A, - 2.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.06 Ohms
配置: Dual Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 5 ns, 8 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2 W
上升时间: 13 ns, 21 ns
典型关闭延迟时间: 21 ns, 21 ns
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：陈先生
电话：13823793399
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：张R
电话：15302699913
Q Q:
联系人：胡生
电话：13641430240
Q Q:
联系人：朱筱筱
电话：15013881543
Q Q:
