型号: NDT03N40ZT3G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 500mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 6.6nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 140pF @ 50V
功率耗散（最大值）： 2W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.4 欧姆 @ 600mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-223（TO-261）
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：刘远威
电话：13528851884
Q Q:
联系人：牛小姐
Q Q:
