型号: NE3210S01
功能描述: 射频JFET晶体管 Super Lo Noise HJFET
制造商: CEL
产品种类： 射频JFET晶体管
类型： GaAs pHEMT
正向跨导 - 最小值： 55 mS
漏源电压 VDS： 4 V
闸/源击穿电压： - 3 V
漏极连续电流： 70 mA
频率： 12 GHz
增益： 13.5 dB
功率耗散： 165 mW
最大工作温度： + 125 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： SO-1
封装： Cut Tape
商标： CEL
闸/源截止电压： 2 V
噪声系数： 0.35 dB
产品： RF JFET
工厂包装数量： 70
ROHS： 无铅
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