型号: NE334S01
功能描述: C BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
制造商: NEC
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: HEMT
频率: 4 GHz
增益: 16 dB
噪声系数: 0.25 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 85 mS
漏源电压 VDS: 4 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 150 mA
最大工作温度: + 125 C
功率耗散: 300 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
封装: Bulk
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