型号: NE3508M04-EVNF23
功能描述:
制造商: CEL
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: HEMT
频率: 2 GHz
增益: 14 dB
噪声系数: 0.45 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 100 mS
漏源电压 VDS: 4 V
闸/源击穿电压: - 3 V
漏极连续电流: 120 mA
最大工作温度: + 150 C
功率耗散: 175 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: FTSMM-4 (M04)
P1dB: 18 dBm
封装: Box
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