型号: NE3517S03-T1D-A
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .7dB Typ Ga 13.5dB Typ
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 13.5 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 70 mA
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: S0-3
封装: Reel
商标: CEL
正向跨导 - 最小值: 55 mS
NF—噪声系数: 0.7 dB
工作频率: 20 GHz
工厂包装数量: 10 00005665 000
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈小勇
电话：15112380080
Q Q:
联系人：梁昌是
电话：15876982513
Q Q:
联系人：朱琳
电话：18718681541
Q Q:
