型号: NE425S01
功能描述: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Super Lo Noise HJFET
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NEC/CEL
晶体管类型: HFET
技术: GaAs
增益: 12 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 4 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 3 V
Id-连续漏极电流: 90 mA
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 165 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: S0-1
封装: Bulk
正向跨导 - 最小值: 60 mS
NF—噪声系数: 0.6 dB
工作频率: 12 GHz
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：郭R
电话：2366341868
Q Q:
联系人：苏S
电话：13723714328
Q Q:
联系人：曹先生
电话：13487865852
Q Q:
