型号: NE5230DR2G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
放大器类型： 通用
电路数： 1
输出类型： 满摆幅
压摆率： 0.25 V/µs
增益带宽积： 600kHz
电流-输入偏置： 40nA
电压-输入失调： 400µV
电流-电源： 1.1mA
电流-输出/通道： 32mA
电压-电源，单/双（±）： 1.8 V ~ 15 V，±0.9 V ~ 7.5 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC
电流 - 输入偏置： 40nA
电压 - 输入失调： 400µV
电流 - 电源： 1.1mA
电流 - 输出/通道： 32mA
电压 - 电源，单/双（±）： 1.8 V ~ 15 V，±0.9 V ~ 7.5 V
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
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电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
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Q Q:
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Q Q:
联系人：蔡信亮
电话：13415000122
Q Q:
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Q Q:
