型号: NE5520279A-T1
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NEC/CEL
制造商: NEC
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 600 mA
Vds-漏源极击穿电压: 15 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 5 V
增益: 10 dB
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
商标: NEC/CEL
正向跨导 - 最小值: 0.0013 S
最小工作温度: - 55 C
工作频率: 1800 MHz
Pd-功率耗散: 12.5 W
类型: RF Power MOSFET
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