型号: NE552R479A
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 230 mA
Vds-漏源极击穿电压: 18 V
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 2 V
增益: 11 dB
输出功率: 26 dBm
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
商标: CEL
正向跨导 - 最小值: 0.4 S
工作频率: 2.45 GHz
Pd-功率耗散: 100 mW
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
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