型号: NE5531079A-T1A
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon Medium Power LDMOSFET RoHS compliant
制造商: CEL
制造商: CEL
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 3 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 6 V
增益: 20.5 dB
输出功率: 40 dBm
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
封装: Tape
商标: CEL
工作频率: 460 MHz
Pd-功率耗散: 35 W
类型: RF Power MOSFET
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.15 V
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