型号: NE651R479A-EVPW26
功能描述:
制造商: CEL
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: HEMT
频率: 1.9 GHz
增益: 12 dB
漏源电压 VDS: 8 V
闸/源击穿电压: - 4 V
漏极连续电流: 1 A
最大工作温度: + 125 C
功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
P1dB: 27 dBm
联系人：蔡升航
电话：13202105858
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：赵伟滨
电话：19926488141
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13423892590
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：王生
Q Q:
联系人：殷明明
电话：15900667628
Q Q:
联系人：蒲丽华
电话：13826593168
Q Q:
