型号: NE651R479A-EVPW26
功能描述:
制造商: CEL
产品种类: 射频GaAs晶体管
技术类型: HEMT
频率: 1.9 GHz
增益: 12 dB
漏源电压 VDS: 8 V
闸/源击穿电压: - 4 V
漏极连续电流: 1 A
最大工作温度: + 125 C
功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: 79A
P1dB: 27 dBm
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