型号: NE662M04-T2
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 3.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.5 V
最大直流电集电极电流: 0.035 A
增益带宽产品fT: 25000 MHz (Typ)
最大工作温度: + 150 C
商标: ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50 at 5 mA at 2 V
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 115 mW
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