型号: NE685M13-T3-A
功能描述: NPN SILICON TRANSISTOR
制造商: CEL [California Eastern Labs]
标准包装: 10,000
类别: 分离式半导体产品
家庭: RF 晶体管 (BJT)
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 6V
频率 - 转换: 12GHz
噪声系数(dB典型值@频率): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
增益: -
功率 - 最大: 140mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 75 @ 10mA,3V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 30mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-3
供应商设备封装: M13
包装: 带卷 (TR)
联系人:Alien
联系人:蔡经理,张小姐
电话:13378422395
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:曹先生,吴小姐
电话:18617161819
联系人:徐小姐
电话:13631670223
联系人:王
电话:13631598171
联系人:Sam
联系人:陈小姐
电话:15986776775
联系人:陈俊光
电话:18824233355