型号: NE722S01
功能描述: NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
制造商: CEL
技术类型: MESFET
频率: 4 GHz
增益: 12 dB
噪声系数: 0.9 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 45 mS
漏源电压 VDS: 5 V
闸/源击穿电压: - 5 V
漏极连续电流: 120 mA
最大工作温度: + 125 C
功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
P1dB: 15 dBm
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：杨文炎
电话：13828847993
Q Q:
联系人：董伟
电话：13813937013
Q Q:
联系人：杨军学
电话：13424281644
Q Q:
