型号: NE722S01
功能描述: NECs C TO X BAND N-CHANNEL GaAs MES FET
制造商: CEL
技术类型: MESFET
频率: 4 GHz
增益: 12 dB
噪声系数: 0.9 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 45 mS
漏源电压 VDS: 5 V
闸/源击穿电压: - 5 V
漏极连续电流: 120 mA
最大工作温度: + 125 C
功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-1
P1dB: 15 dBm
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