型号: NE851M03
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—基极电压 VCBO: 9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO: 5.5 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.5 V
最大直流电集电极电流: 0.1 A
增益带宽产品fT: 6500 MHz (Typ)
最大工作温度: + 150 C
商标: ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 100 at 5 mA at 1 V
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 200 mW
联系人：肖瑶，树平
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联系人：陈敏
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