型号: NE856M03-T1-A
功能描述: NPN SILICON TRANSISTOR
制造商: CEL [California Eastern Labs]
标准包装: 3,000
类别: 分离式半导体产品
家庭: RF 晶体管 (BJT)
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 12V
频率 - 转换: 4.5GHz
噪声系数（dB典型值@频率）: 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
增益: -
功率 - 最大: 125mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 80 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 100mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-523
供应商设备封装: 3-SuperMiniMold
包装: 带卷 (TR)
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