型号: NECNP83P06PDGE1AY
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
制造商: renesas electronics
包装： 3TO-263
渠道类型： P
通道模式： Enhancement
最大漏源电压： 60 V
最大连续漏极电流： 83 A
RDS -于： 8.8@10V mOhm
最大门源电压： ±20 V
典型导通延迟时间： 36 ns
典型上升时间： 20 ns
典型关闭延迟时间： 230 ns
典型下降时间： 200 ns
工作温度： -55 to 175 °C
安装： Surface Mount
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