型号: NECNP83P06PDGE1AY
功能描述: Trans MOSFET P-CH 60V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R
制造商: renesas electronics
包装: 3TO-263
渠道类型: P
通道模式: Enhancement
最大漏源电压: 60 V
最大连续漏极电流: 83 A
RDS -于: 8.8@10V mOhm
最大门源电压: ±20 V
典型导通延迟时间: 36 ns
典型上升时间: 20 ns
典型关闭延迟时间: 230 ns
典型下降时间: 200 ns
工作温度: -55 to 175 °C
安装: Surface Mount
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