型号: NESG2031M16-A
功能描述: NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PKG)
制造商: NEC [NEC]
标准包装: 1
类别: 分离式半导体产品
家庭: RF 晶体管 (BJT)
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 5V
频率 - 转换: 25GHz
噪声系数（dB典型值@频率）: 0.8dB ~ 1.3dB @ 2GHz ~ 5.2GHz
增益: 10dB ~ 17dB
功率 - 最大: 175mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 130 @ 5mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 35mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD，扁平引线
供应商设备封装: M16，1208
包装: 散装
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