型号: NESG3031M14-A
功能描述: NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
制造商: CEL [California Eastern Labs]
标准包装: 1
类别: 分离式半导体产品
家庭: RF 晶体管 (BJT)
系列: -
晶体管类型: NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）: 4.3V
频率 - 转换: -
噪声系数（dB典型值@频率）: 0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
增益: 7.5dB ~ 16dB
功率 - 最大: 150mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 220 @ 6mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）: 35mA
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: M14
供应商设备封装: 4L2MM，M14
包装: 散装
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