型号: NGB8207ABNT4G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装： 800
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 带卷（TR）
IGBT 类型： -
电压 - 集射极击穿（最大值）： 365V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 50A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.2V @ 3.7V，10A
功率 - 最大值： 165W
开关能量： -
输入类型： 逻辑
栅极电荷： -
25°C 时 Td（开/关）值： -
测试条件： -
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： D2PAK
其它名称： NGB8207ABNT4GOSTR
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