型号: NGTB05N60R2DT4G
功能描述: IGBT 晶体管 RC2 IGBT 5A 600V DPAK
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: DPAK-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 16 A
Pd-功率耗散: 56 W
最大工作温度: + 175 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
集电极最大连续电流 Ic: 8 A
商标: ON Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: IGBTs
单位重量: 350 mg
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：先生
Q Q:
联系人：刘新
电话：17673093037
Q Q:
联系人：周文亮
电话：13802252092
Q Q:
