型号: NGTB20N120IHRWG
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
特色产品: On Semi - FL2 Series Field Stop 2 IGBTs
标准包装: 30
类别: 分立半导体产品
家庭: IGBT - 单路
系列: -
包装: 管件
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on): 2.45V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 384W
开关能量: 450µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 225nC
25°C 时 Td(开/关)值: -/235ns
测试条件: 600V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): -
封装/外壳: TO-247-3
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
其它名称: NGTB20N120IHRWGOS
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