型号: NGTB25N120LWG
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
特色产品： Trench and Field Stop IGBTs On Semi - FL2 Series Field Stop 2 IGBTs
标准包装： 30
类别： 分立半导体产品
家庭： IGBT - 单路
系列： -
包装： 管件
IGBT 类型： 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 200A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）： 2.3V @ 15V，25A
功率 - 最大值： 192W
开关能量： 3.4mJ（开），800µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 200nC
25°C 时 Td（开/关）值： 89ns/235ns
测试条件： 600V，25A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： -
封装/外壳： TO-247-3
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247
其它名称： NGTB25N120LWG-NDNGTB25N120LWGOS
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