型号:  NGTB40N120FL2WG

功能描述:  

制造商:  ON Semiconductor

RoHS：  符合 RoHS

封装/外壳：  TO-247

系列：  NGTB40N120FL2

品牌：  ON Semiconductor

安装风格：  Through Hole

最低工作温度：  - 55 C

标准包装数量：  30

配置：  Single

集电极-发射极最大电压VCEO：  1200 V

集电极-发射极饱和电压：  2 V

栅极发射机最大电压：  30 V

连续集电极电流在25 C：  80 A

栅射极漏电电流：  200 nA

功率散耗：  535 W

最高工作温度：  + 175 C

IGBT 类型：  沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：  1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm)：  200A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：  2.4V @ 15V，40A

功率 - 最大值：  535W

开关能量：  3.4mJ（开），1.1mJ（关）

输入类型：  标准

栅极电荷：  313nC

25°C 时 Td（开/关）值：  116ns/286ns

测试条件：  600V，40A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）：  240ns

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-247-3

供应商器件封装：  TO-247

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs