型号: NGTB50N65S1WG
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 140A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 140A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 2.45V @ 15V，50A
功率 - 最大值： 300W
开关能量： 1.25mJ（开），530µJ（关）
输入类型： 标准
栅极电荷： 128nC
25°C 时 Td（开/关）值： 75ns/128ns
测试条件： 400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）： 70ns
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： TO-247
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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