型号: NGTD21T65F2WP
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
IGBT 类型： 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650V
脉冲电流 - 集电极 (Icm)： 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）： 1.9V @ 15V，45A
输入类型： 标准
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 模具
供应商器件封装： 模具
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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