型号: NGTG20N60L2TF1G
功能描述: IGBT 晶体管 600V 20A IGBT TO-3PF
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PF-3L
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.65 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 40 A
Pd-功率耗散: 64 W
系列: NGTG20N60L2TF1G
封装: Tube
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 20 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 31.752 g
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