NIF9N05CLT1G规格参数_NIF9N05CLT1G全国代理商/分销商

型号: NIF9N05CLT1G
功能描述: N-Channel 52 V 107 mOhm 1.69 W Surface Mount Protected Power MOSFET - SOT-223
制造商: ON Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.6A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 3V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）： 7nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 250pF @ 35V
Vgs（最大值）： ±15V
功率耗散（最大值）： 1.69W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 125 毫欧 @ 2.6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
封装形式Package： SOT-223
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 59V
连续漏极电流ID： 2.6A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs