型号: NIMD6302R2
功能描述: 双N沟道MOSFET
制造商: ON Semiconductor (安森美)
封装: SOIC
功耗: 1.30 W
漏源极电阻: 50.0 mΩ
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 30V
栅源击穿电压: -16.0 V to 16.0 V
漏源击穿电压: 30.0 V
连续漏极电流(Ids): 6.50 A
安装方式: Surface Mount
包装方式: Reel
含铅标准: Contains Lead
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Not Listed by Manufacturer
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