型号: NJL#7502L
功能描述:
制造商: NJR
产品种类: Phototransistors
最大功率耗散: 150 mW
最大暗电流: 100 nA
封装 / 箱体: T-1
集电极—发射极最大电压 VCEO: 70 V
下降时间: 10 us
最大工作温度: + 85 C
最小工作温度: - 40 C
封装: Bulk
上升时间: 10 us
工厂包装数量: 500
类型: Chip
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