型号: NJVMJD210T4G
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP DPAK PNP 5A 25V TR
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 25 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 8 V
集电极—射极饱和电压: 1.8 V
最大直流电集电极电流: 10 A
增益带宽产品fT: 65 MHz
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD210
直流电流增益 hFE 最大值: 180 at 2 A, 1 V
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min: 45 at 2 A, 1 V
Pd-功率耗散: 12.5 W
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
资格: AEC-Q101
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
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