型号: NJVMJD45H11D3T4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型： PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 8A
电压 - 集射极击穿（最大值）： 80V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）： 1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）： 1µA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 40 @ 4A，1V
功率 - 最大值： 20W
频率 - 跃迁： 90MHz
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装： DPAK
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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