型号: NJVMJD45H11D3T4G
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 8A
电压 - 集射极击穿(最大值): 80V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 1V @ 400mA,8A
电流 - 集电极截止(最大值): 1µA
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 40 @ 4A,1V
功率 - 最大值: 20W
频率 - 跃迁: 90MHz
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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