型号: NJVNJD35N04T4G
功能描述: 达林顿晶体管 NPN DARLINGTON Pwr TRAN
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 是
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 350 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 700 V
最大集电极截止电流: 250 uA
Pd-功率耗散: 45 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: NJD35N04
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
集电极连续电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 2000
增益带宽产品fT: 90 MHz
产品类型: Darlington Transistors
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
单位重量: 260.400 mg
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