型号:  NJX1675PDR2G/BKN

功能描述:   Trans GP BJT NPN/PNP 30V 3A 8-Pin SOIC N T/R

制造商:  on semiconductor

包装：  8SOIC N

类型：  NPN|PNP

引脚数：  8

最大集电极发射极电压：  30 V

集电极最大直流电流：  3 A

最小直流电流增益：  100@10mA@2V@NPN|100@500mA@2V@NPN|180@1A@2V@NPN|180@2A@2V@NPN|100@10mA@2V@PNP|100@500mA@2V@PNP|180@1A@2V@PNP|150@2A@2V@PNP

最大工作频率：  100(Min)@NPN|120(Typ)@PNP MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.011@0.01A@0.1A@NPN|0.06@0.1A@1A@NPN|0.115@0.01A@1A@NPN|0.115@0.2A@2A@NPN|0.017@0.01A@0.1A@PNP|0.095@0.1A@1A@PNP|0.170.01A@1A@PNP|0.17@0.2A@2A@PNP V

工作温度：  -55 to 150 °C

最大功率耗散：  2000 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Cut Tape