型号: NP50P06SDG-E1-AY
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装: 2,500
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 50A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 16.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5000pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252(MP-3ZK)
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