型号: NP55N055SDG-E1-AZ
功能描述: Trans MOSFET N-CH 55V 55A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
制造商: Renesas Electronics (瑞萨电子)
封装: TO-252
功耗: 77.0 W
漏源极电阻: 7.40 mΩ
极性: N-Channel
漏源击穿电压: 55.0 V
栅源击穿电压: -20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids): -55.0 A to 55.0 A
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Not Listed by Manufacturer
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