型号: NP80N04PUG-E1B-AY
功能描述:
制造商: Renesas Electronics
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 135nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 7350pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta），115W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.5 毫欧 @ 40A，10V
工作温度： 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-263
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：赵宏全
电话：13480731500
Q Q:
联系人：黄小姐，唐先生
电话：15889522512
Q Q:
联系人：陆先生
电话：13534054557
Q Q:
