型号: NP82N04NDG-S18-AY
功能描述: Renesas Electronics America/分立半导体产品
制造商: Renesas Electronics America
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 82A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4.2 毫欧 @ 41A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 9000pF @ 25V
功率 - 最大值： 1.8W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-262-3 整包，I²Pak
供应商器件封装： TO-262-3
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